半導體產業網獲悉：2022年7月，恒普科技同時推出2款8英寸雙線圈感應晶體生長爐，新推出的2款全新爐型，對應SiC感應晶體生長爐在8英寸或更大尺寸上的劣勢，也積極對應行業客戶的使用習慣和經驗延續。
在碳化硅8英寸時代到來之際，隨著坩堝的直徑增長，感應線圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大，而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長爐，以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術，更優化解決晶體的長大、長快、長厚的行業需求。這就突顯SiC感應晶體生長爐的技術落后，為了對應行業客戶的使用慣性及Know-How的延續，恒普科技推出了雙線圈感應晶體生長爐，并且同時推出石英管（雙線圈外置）和金屬殼（雙線圈內置）兩款全新爐型。
雙線圈的技術并不是新的技術路線，但是雙線圈的相互干擾，特別是在坩堝中的發熱互相干擾，對工藝調整存在很大難度，物質流傳輸及通道沉積都存在難點，為了克服8英寸感應晶體生長爐的問題點，恒普科技解決了雙線圈對石墨坩堝的溫度上下無法分離，做到了【準軸徑分離】，并將技術同時使用在了兩種爐型上，滿足更多客戶的使用習慣。
》》核心技術
·坩堝區域溫度分離 （相對分離）
·采用特殊定制石墨硬氈
·雙水平式線圈
·獨特的二次發熱體
·坩堝與熱場分離
·物質流的傳輸導流控制
注：以上功能不是2款爐型都有。
》》產品&技術特點
一、SiC石英管雙線圈（外置）感應晶體生長爐
技術特點：
·坩堝區域溫度分離
·方便原工藝過渡
·水平螺旋線圈，提高磁場平衡與雙線圈匹配
二、SiC金屬殼雙線圈（內置）感應晶體生長爐
技術特點：
·爐下方向出料，解決8英寸坩堝上取料的不便
·出料時，坩堝與熱場自動分離，提高爐次的重復性
·獨特的二次發熱體
·優化內置線圈絕緣
·橫向多點測溫
·采用特殊定制石墨硬氈
▲寧波恒普真空科技股份有限公司
寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎，以高溫熱場環境控制為技術核心的金屬注射成形（MIM）領域和寬禁帶半導體領域的關鍵設備供應商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結爐、碳化硅晶體生長爐、碳化硅同質外延設備等熱工裝備的研發、生產和銷售。
