東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。

 

新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%，從而使“漏源導通電阻柵漏電荷（RDS(ON)Qgd）”降低了大約80%，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。