半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，清純半導(dǎo)體1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通過國(guó)內(nèi)第三方可靠性驗(yàn)證，榮獲全套AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。據(jù)悉，清純半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)首次SiC MOSFET產(chǎn)品能夠同時(shí)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和HV-H3TRB雙重考核的公開報(bào)道。

清純半導(dǎo)體以提供國(guó)際一流的碳化硅（SiC）功率器件為己任，努力滿足新能源汽車及光伏等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏呖煽啃缘漠a(chǎn)品需求。自公司成立以來，通過具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的獨(dú)到技術(shù)持續(xù)優(yōu)化SiC器件各方面性能，致力于打造對(duì)標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先水平的系列產(chǎn)品。

AEC-Q101是汽車行業(yè)最為重要的的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)之一，是國(guó)際汽車行業(yè)通用的技術(shù)規(guī)范，是汽車電子必須獲得的認(rèn)證之一。對(duì)于1200V耐壓器件，其在高壓高濕高溫反偏（HTRB）考核標(biāo)準(zhǔn)中耐壓通常為100V；而在HV-H3TRB考核中耐壓提高到960V，因而對(duì)器件的設(shè)計(jì)、制造及封裝技術(shù)提出了極高的挑戰(zhàn)。通過了HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證極大程度上代表功率器件在極端運(yùn)行環(huán)境下的優(yōu)良耐受能力及使用壽命，因而其逐漸成為各大主流汽車及光伏儲(chǔ)能廠家對(duì)高可靠性功率器件的通用要求。

清純半導(dǎo)體表示，此次通過該車規(guī)可靠性認(rèn)證，標(biāo)志著產(chǎn)品質(zhì)量邁入了國(guó)際領(lǐng)先水平，為公司在新能源汽車及光伏領(lǐng)域等市場(chǎng)的拓展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，是繼成功量產(chǎn)不同規(guī)格SiC MOSFETs（例如國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFETs和國(guó)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的14毫歐SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事件。我司將以此為契機(jī)，腳踏實(shí)地，銳意進(jìn)取，不斷提升產(chǎn)品性能，為我國(guó)節(jié)能減排和新能源事業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。