杭州士蘭微電子股份有限公司10月24日發布對外投資進展公告稱，近期，士蘭明鎵 SiC 功率器件生產線已實現初步通線，首個 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6 英寸SiC芯片的生產能力。公司目前已完成第一代平面柵 SiC-MOSFET 技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。公司已將 SiC-MOSFET 芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續完成評測，即將向客戶送樣。

資料顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導體投資集團有限公司于 2017 年 12 月 18 日在中國廈門共同簽署了《關于化合物半導體項目之投資合作協議》，雙方合作在廈門市海滄區建設一條4/6吋兼容的化合物半導體生產線，總投資 50億元，其中一期

總投資20億元，二期總投資30億元。根據《投資合作協議》，雙方在廈門市海滄區共同投資設立了廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司。截至 2021 年底，士蘭明鎵已完成第一期 20 億元的投資，形成了每月 7.2萬片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的產能，其產品在小間距顯示、mini LED顯示屏、紅外光耦、安防監控、車用 LED 等領域得到廣泛應用。

士蘭明鎵已于2022年7月正式啟動化合物半導體第二期建設項目，即“SiC功率器件生產線建設項目”。本項目計劃投資15億元，建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，最終形成年產14.4萬片6吋SiC功率器件芯片的產能，其中SiC-MOSFET芯片12萬片/年、SiC-SBD芯片2.4萬片/年。