下一代GaNFast™氮化鎵功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）25日發布全新CRPS185 4.5kW AI數據中心服務器電源方案，該方案圍繞納微旗下GaNSafe™高功率氮化鎵功率芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅功率器件打造，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠絕全球。

下一代AI GPU如英偉達Blackwell B100和B200，在進行高功率計算時均需要超過1kW的功率支持，是傳統CPU的3倍。在高漲的功率需求下，每個數據中心機柜的功率規格將從30-40kW推高至100kW。

2024年3月，納微半導體發布了其AI數據中心電源技術路線圖，展示了其針對AI和高性能計算（HPC）系統日益增長的功率需求打造的下一代數據中心電源解決方案。首個設計方案是一款基于GaNSafe™氮化鎵功率芯片設計的CRPS185 3.2kW AC-DC轉換器，其基于超大規模的開放計算項目（OCP）定義的通用冗余電源（CRPS）外形尺寸打造而來。與相同功率等級的傳統硅基方案相比，CRPS185 3.2kW方案（其長度為185毫米）體積減少了40%，并且效率在20%~60%負載下均超96%（鈦金+），輕松超過了對數據中心運營模式至關重要且歐盟法規強制要求執行的“鈦金”效率基準。

全新的CRPS185 4.5kW電源方案展示了新型GaNSafe™氮化鎵功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅MOSFETs如何打造世界上功率密度和效率最高的電源解決方案。該方案的核心在于碳化硅技術和氮化鎵技術的混合設計，其中碳化硅技術部署在交錯CCM圖騰柱PFC上，與搭載了氮化鎵技術的的全橋LLC拓撲結構相結合。混合設計充分利用了每種半導體技術的獨特優勢，可實現最高的頻率、最低的運行溫度、更好的可靠性和魯棒性，進而達到最高的功率密度和效率。納微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了“溝槽輔助平面柵”技術，使其能夠在不同溫度下為實際應用帶來最高系統效率和可靠性。

運用在LLC拓撲中的650V 納微GaNSafe氮化鎵功率芯片，憑借高度集成的功率、保護、控制和驅動功能，以及易于使用、堅固耐用、散熱性能出色的TOLL封裝，成為了大功率應用獨特的理想之選。此外，GaNSafe氮化鎵功率芯片擁有極低的開關損耗和高達800V的瞬態電壓性能，以及低門極電荷（Qg）、低輸出電容（COSS）和無反向恢復損耗（Qrr）等高速開關優勢。高速的開關能力降低了電源中被動元件（如變壓器、電容器和EMI濾波器）的尺寸、重量和成本。而功率密度的增加，意味著下一代氮化鎵和碳化硅技術通過系統效率提升和‘去物質化’角度實現碳減排，有效助力可持續發展。

目前，納微的3.2kW和4.5kW電源方案已經引起了市場的高度關注，已有超過30個數據中心客戶項目正在研發中，預計將在2024年到2025年間為納微氮化鎵和碳化硅的營收帶來數百萬美元的增長。 

憑著GaNSafe和GeneSiC技術的領先優勢，納微的AI數據中心服務器電源方案極大地加快了客戶研發進程，加速產品推向市場的時間，并在能效、功率密度和系統成本方面樹立了新的行業標準。納微可向客戶提供完整的設計資料，包括經過充分測試的硬件、原理圖、物料清單、布局、仿真和硬件測試結果。

 （來源：納微芯球 ）