近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現大規模量產。
該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。
華芯微電子于2023年在珠海高新區成立，其格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目是廣東省重點項目、珠海市產業立柱項目。
該項目自開工建設以來，華芯微電子與格力集團等項目設計、建設單位密切配合，瞄準節點、高效推進、合力攻堅，僅用184天便完成項目主體封頂，180天完成設備移入安裝和二次配工程、90天完成設備調試和生產線通線。
格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目以化合物半導體晶圓代工技術創新主導，致力于打造具有國際領先水平的化合物半導體工藝平臺，推出高品質、高良率的制程技術，全力協助國內企業實現射頻芯片國產化制造，成為中國最大的射頻晶圓代工廠，推動射頻科技自立自強。
