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上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利,縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

日期:2025-03-20 閱讀:249
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海光通信有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的專利,公開號 CN 119626900 A,申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海光通信有限公司申請一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”的專利,公開號 CN 119626900 A,申請日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示,本公開實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括:形成目標(biāo)待刻蝕層和第一圖案化層,目標(biāo)待刻蝕層包括依次疊置的第一硅化物層、第一多晶硅層和第二硅化物層;刻蝕目標(biāo)待刻蝕層,得到第二圖案化層,第二圖案化層包括多個第二圖案;形成側(cè)墻和第二多晶硅層,側(cè)墻覆蓋各第二圖案的側(cè)壁,第二多晶硅層填充在側(cè)墻之間的間隙;去除第一多晶硅層上方的膜層結(jié)構(gòu),以及位于第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的側(cè)墻;刻蝕襯底以獲得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。通過控制側(cè)墻的形成參數(shù),可以控制相鄰的第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的間隙,從而可以半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的線寬進(jìn)一步縮小,提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的器件密度。

天眼查資料顯示,上海光通信有限公司,成立于1988年,位于上海市,是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2038786.497萬人民幣,實繳資本50000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,上海光通信有限公司共對外投資了7家企業(yè),參與招投標(biāo)項目46次,財產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息12條,專利信息16條,此外企業(yè)還擁有行政許可170個。

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