專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法，包括以下步驟：第一步：進(jìn)行緩沖層及外延層的生長(zhǎng)；第二步：所述反應(yīng)腔中壓力保持不變，將氫氣流量驟變至 10~50slm，同時(shí)通入 50~100slm 的氬氣進(jìn)行第一階段降溫；第三步：待所述反應(yīng)腔中溫度降至 1000~1200℃時(shí)，進(jìn)行第二階段降溫；第四步：瞬間將氫氣流量降至 0slm，氬氣流量降至 10~30slm，同時(shí)恢復(fù)所述反應(yīng)腔的內(nèi)壓；第五步：在氬氣氛圍下進(jìn)行吹掃，吹掃完成后關(guān)閉氬氣，靜置后取出外延片。通過該方法可以將碳化硅外延薄膜表面的 Bump 缺陷密度降低至 0.03cm?2 及以下，從而提高碳化硅外延片的質(zhì)量，提高半導(dǎo)體器件的性能。

天眼查資料顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司，成立于2011年，位于廈門市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本40409.276萬人民幣，實(shí)繳資本38819.2129萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司共對(duì)外投資了1家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目50次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息20條，專利信息67條，此外企業(yè)還擁有行政許可69個(gè)。