專利摘要顯示，本發明公開了一種具有柵極突起結構的溝槽型功率半導體器件及其制備方法，制備方法包括：在硅襯底上沉積外延層；在外延層上依次制備二氧化硅墊層、第一掩膜層和第二掩膜層；刻蝕形成柵極溝槽；形成柵氧化層；淀積柵極多晶硅；通過化學機械研磨去除第一掩膜層表面的柵極多晶硅；刻蝕去除第一掩膜層，并調整硅平臺區上的柵極多晶硅形貌；過離子注入形成體區與源區；制備源區接觸孔和鎢栓。本發明中，在溝槽型功率半導體器件制備過程中形成柵極突起結構，解決了多晶硅蝕刻后增大溝道漏電的問題，并且通過增加柵極多晶硅橫截面積減小了柵極電阻，提高了開關速度與線性區能力，優化了器件性能。

天眼查資料顯示，重慶萬國半導體科技有限公司，成立于2016年，位于重慶市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本46093.126499萬美元。通過天眼查大數據分析，重慶萬國半導體科技有限公司參與招投標項目34次，財產線索方面有商標信息6條，專利信息138條，此外企業還擁有行政許可19個。