近日，九峰山實驗室（JFS Lab）向各科研機構提供氧化鎵”Coupon to wafer”流片研發平臺，同時提供多種科研級功率器件封裝單管。包括JFS創新的Planar SBD、Trench SBD（肖特基勢壘二極管）器件和平面MOSFET器件。它們都是基于全氧化鎵材料制造，標志著JFS Lab在氧化鎵半導體器件研發工藝平臺有了較好的技術積累。此次發布的SBD和MOSFET科研級封裝器件旨在滿足客戶對氧化鎵器件的測試、分析及應用探索需求，進一步推動氧化鎵行業的產業化發展。
00 JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技術流片平臺
JFS Ga2O3 “coupon to wafer”技術，實現小尺寸WBG材料在6/8寸量產型Fab線上開發和小批量生產，讓小尺寸材料也能采用6/8寸高精度穩定性工藝設備批量制造。同時，未來可實現WBG器件和硅CMOS邏輯控制的異質集成，擴展多材料多功能集成技術，同步提升氧化鎵器件的散熱能力。
1 Planar SBD
產品亮點與特性
JFS Lab此次推出的Planar SBD器件制造簡單，具有較大的正向電流密度和高反向電壓，專為研究氧化鎵器件電學性能及早期應用探索而設計。
•規格：電極尺寸為110*110 (μm2)，2*2(mm2)等多種規格及定制化需求，可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應用場景。
02 Trench SBD
產品亮點與特性
JFS Lab特有IP兩級溝槽SBD結構，更好的肖特基區掩蔽，增強可靠性同時保持較好的電流通路和正向導通能力，核心專利包括CN113990801A，CN119486231A，CN116207164A等。
•規格：電極尺寸為2.5*2.5 (mm2)，可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應用場景。
03 Planar MOSFET
產品亮點與特性
JFS Lab首個通過氮注入形成高阻區構造柵極電場掩蔽結構的垂直MOSFET，具備未來實際應用中高可靠性柵極電場保護（氧化鎵中臨界電場理論上可達8MV/cm，遠高于SiC的3MV/cm），獨有IP系列知識產權，核心專利CN116705616A。
•規格：測試樣品（僅4個cell）電極極尺寸為250*250 (μm2)，后期逐步推出大電流規格芯片（5-20A），可為客戶提供bare die和封裝形式的器件，適用于特定測試及應用場景。
04 器件封裝
封裝形式：TO金屬封裝
咨詢及購買聯系方式：wangkuan@jfslab.com.cn
