專利摘要顯示，本發明提供一種溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法，本發明的溝槽型MOSFET器件結構或制備的溝槽型MOSFET器件結構中，柵極導電結構包括多層柵極多晶硅層，其中，相鄰兩層柵極多晶硅層的摻雜類型不同，從而在柵極導電結構內部形成了至少一個PN結，使得柵極導電結構內部具有至少一個柵極結電容，這個或這些柵極結電容與器件的固有電容(即本征柵漏電容)串聯，使得器件的總柵漏電容變小，柵漏電荷減少，從而有利于降低器件的動態損耗，同時又不會提高器件的特征導通電阻。也就是說，本發明的溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法優化了柵漏電荷和特征導通電阻之間的折中關系，有助于提升器件的電性能。

天眼查資料顯示，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本1685.2302萬人民幣。通過天眼查大數據分析，瑤芯微（上海）電子科技股份有限公司共對外投資了4家企業，財產線索方面有商標信息14條，專利信息139條，此外企業還擁有行政許可3個。