功率MOSFET在某些意外條件下會(huì)發(fā)生雪崩操作,例如電網(wǎng)的電壓尖峰、機(jī)械部件的ESD和電感負(fù)載故障。為了評(píng)估功率MOSFET在雪崩條件下的堅(jiān)固性,無(wú)鉗電感開(kāi)關(guān)(UIS)已成為一種標(biāo)準(zhǔn)方法。
5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ynpmqx.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會(huì)議設(shè)有開(kāi)幕大會(huì)&主旨報(bào)告,以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用,超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用,功率集成交叉與應(yīng)用,先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個(gè)平行論壇,將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計(jì)、芯片加工、模塊封裝、測(cè)試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時(shí),廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達(dá)將受邀出席論壇,并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開(kāi)關(guān)》的主題報(bào)告,敬請(qǐng)關(guān)注!
嘉賓簡(jiǎn)介
周賢達(dá),2013年博士畢業(yè)于香港科技大學(xué),隨后在香港工業(yè)界先后負(fù)責(zé)功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)和生產(chǎn),2017年至2022年擔(dān)任中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院副研究員,自2022年起擔(dān)任廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副教授(青年百人A級(jí))。周賢達(dá)博士在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有完整的產(chǎn)業(yè)化和學(xué)術(shù)研究經(jīng)驗(yàn),成功推出過(guò)多款量產(chǎn)產(chǎn)品,累計(jì)獲中外發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)18項(xiàng),主持2項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目,以第一/通訊作者身份在行業(yè)頂級(jí)會(huì)議和權(quán)威期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文12篇,并長(zhǎng)期擔(dān)任《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》審稿人和對(duì)口軍工企業(yè)技術(shù)顧問(wèn)。
廣東工業(yè)大學(xué)是一所以工為主、工理經(jīng)管文法藝教結(jié)合、多科性協(xié)調(diào)發(fā)展的省屬重點(diǎn)大學(xué)、廣東省高水平大學(xué)重點(diǎn)建設(shè)高校,1958年開(kāi)辦本科教育,1995年由原廣東工學(xué)院、廣東機(jī)械學(xué)院和華南建設(shè)學(xué)院(東院)合并組建而成。學(xué)校本部坐落于中國(guó)南方名城廣州,擁有大學(xué)城、東風(fēng)路、龍洞、番禺、沙河、揭陽(yáng)等多個(gè)校區(qū),校園占地總面積5300畝,環(huán)境優(yōu)美。目前,學(xué)校共設(shè)有25個(gè)學(xué)院、2個(gè)公共課教學(xué)部(中心)、12個(gè)研究機(jī)構(gòu)。廣東工業(yè)大學(xué)的工程學(xué)、材料科學(xué)、計(jì)算機(jī)科學(xué)、化學(xué)、環(huán)境科學(xué)與生態(tài)學(xué)、農(nóng)學(xué)、社會(huì)科學(xué)總論、生物學(xué)與生物化學(xué)、地球科學(xué)等9個(gè)學(xué)科已進(jìn)入ESI全球?qū)W科排名前1%行列,其中工程學(xué)已進(jìn)入前0.3‰。
組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位:
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
主辦單位:南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.ynpmqx.com)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司
大會(huì)主席:郭宇鋒
聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰
程序委員會(huì):盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來(lái)利 程新紅 楊媛 楊樹(shù) 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢(mèng) 明鑫 周春華 等
組織委員會(huì)
主 任:姚佳飛
副主任:涂長(zhǎng)峰
成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術(shù)
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測(cè)試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)
2. 碳化硅功率器件與集成技術(shù)
碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
3. 氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
4. 氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測(cè)試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
5. 模組封裝與應(yīng)用技術(shù)
功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性
6. 面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺(tái)與制造技術(shù);制造、封裝、檢測(cè)及測(cè)試設(shè)備等
7. 功率器件交叉領(lǐng)域
基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動(dòng)的功率器件仿真,建模與設(shè)計(jì)、封裝與測(cè)試
會(huì)議日程
參會(huì)與擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、南京大學(xué)、天津大學(xué)、長(zhǎng)飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識(shí)電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國(guó)電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)等……
活動(dòng)參與:
注冊(cè)費(fèi)2800元,5月15日前注冊(cè)報(bào)名2500元(含會(huì)議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)
繳費(fèi)方式
①銀行匯款
開(kāi)戶(hù)行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
賬 號(hào):336 356 029 261
名 稱(chēng):北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司
②移動(dòng)支付
備注:通過(guò)銀行匯款/移動(dòng)支付,請(qǐng)務(wù)必備注:?jiǎn)挝缓?jiǎn)稱(chēng)+姓名+南京,以便后續(xù)查詢(xún)及開(kāi)具發(fā)票。若需開(kāi)具發(fā)票請(qǐng)將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開(kāi)票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預(yù)報(bào)名
備注:此碼為預(yù)報(bào)名通道,完成信息提交后,需要對(duì)公匯款或者掃碼支付注冊(cè)費(fèi)。
論文投稿及報(bào)告咨詢(xún):
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會(huì)聯(lián)系:
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)(英文)》。
會(huì)議酒店
南京熹禾涵田酒店
地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號(hào)
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酒店聯(lián)系人
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