作為深圳“20+8”戰略性新興產業和未來產業之一，深圳集成電路產業的核心競爭力不斷提升。
日前，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺成功制備出國內首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管功率器件。該器件能在高溫高壓等極端環境下實現更小體積的高效功率傳輸，未來將應用于智能電網、航空航天等領域。
國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺是由深圳市科創局與深重投集團聯合打造的新型科研機構。2024年底，該中心建成了全國首個集科研和中試于一體的8吋先進功率半導體開放共享平臺。2025年以來，科研項目進度持續加快，累計已完成122臺國產化設備的驗證與熟化工作。
為支持產業發展，深圳市發展和改革委員會日前出臺《深圳市關于促進半導體與集成電路產業高質量發展的若干措施》，從高端芯片產品突破、突破核心設備及配套零部件等方面提出10條具體支持舉措。為強化資金保障，由深重投集團、深創投集團等發起設立的總規模50億元的深圳市半導體與集成電路產業投資基金“賽米產業私募基金”，已于5月完成工商登記注冊。
統計顯示，今年上半年，深圳集成電路產業規模達1424億元，創歷史同期新高，同比增長16.9%。專家指出，這一成就離不開產業集群協同發展的大背景，我們需要將國內外先進技術、理念和人才匯聚深圳，共同推動產業進步。
