芯聯(lián)集成近日在回答投資者提問時表示，公司從2021年起投入SiC MOSFET芯片、模組封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，兩年時間完成了3輪技術(shù)迭代，完成了應(yīng)用于主驅(qū)的平面SiC MOSFET技術(shù)的突破。目前，公司最新一代的SiC MOSFET產(chǎn)品性能已達世界領(lǐng)先水平，用于車載主驅(qū)逆變器的SiC MOSFET器件和模塊也于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)。截至2023年12月，公司6英寸SiC MOSFET產(chǎn)線已實現(xiàn)月產(chǎn)出5000片以上，2024年公司還將計劃建成國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET試驗線。 公司已與多家頭部車企進行合作，未來將繼續(xù)拓展更多新能源汽車主機廠和零部件客戶。隨著產(chǎn)品驗證的推進和產(chǎn)能的不斷提升，SiC MOSFET產(chǎn)品上車數(shù)量將迅速提升，營業(yè)收入也將大幅增長，繼續(xù)鞏固公司在國內(nèi)車規(guī)級芯片代工與模組封測領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。