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報告簡介：基于深層瞬態光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院院士、Glo AB創始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對MicroLED和自形成光子結構的納米線應用的精彩

西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統單晶金剛石微結構制備的報告。

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結構的研究報告。

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結構特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結構，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態照明及LED 領域的11-本英文專著，

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現出

美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應用GaN納米結構的局部應變工程技術。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國密歇根大學電機工程與計算機系副教授。現在KU教授的研究專注在“節能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！