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  • 韓國東義大學(xué)教授Won-
    SiC單晶的坩堝結(jié)構(gòu)及PVT生長工藝條件的改進SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學(xué)教授、釜山電力半導(dǎo)體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.
    55500
    IFWS2025-01-09 14:55
  • 中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
    GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.
    23400
    IFWS2025-01-09 14:42
  • 中科院長春光機所研究
    氮化物的范德華外延：基底結(jié)構(gòu)、多性能控制和紫外光電器件應(yīng)用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孫曉娟中科院長春光機所研究員SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences
    119400
    guansheng2023-05-19 14:58
  • 廈門大學(xué)物理科學(xué)與技
    Ga2O3/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光電探測器Ga2O3/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetectors黃凱廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授HUANG KaiProfessor, School of Physical Science and Technology, Xiamen University
    153500
    guansheng2023-05-19 14:52
  • 蘇州大學(xué)功能納米與軟
    鈣鈦礦LED晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的研究Research on Crystal Structure Stability of Perovskite Light Emitting Diodes謝躍民蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院副教授XIE YueminProfessor of Soochow University
    66100
    guansheng2023-05-19 13:51
  • 北京大學(xué)副教授許福軍
    AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
    121900
    guansheng2023-05-19 08:51
  • 北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
    基于結(jié)終端擴展的kV級硅基GaN準垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
    55900
    guansheng2022-09-01 13:46
  • 張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
    基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用 張榮 教授 廈門大學(xué)
    40600
    limit2022-01-10 13:09
  • 吳千樹：肖特基p型柵
    《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
    23700
    limit2022-01-07 11:51
  • 劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
    《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    11400
    limit2022-01-07 10:24
  • 閆建昌：AlGaN基紫外L
    《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計研究進展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國科學(xué)院大學(xué)
    33400
    limit2022-01-06 11:41
  • 李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
    《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    22000
    limit2022-01-06 11:09
  • 寧靜：范德華外延氮化
    《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧靜，張進成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
    24900
    limit2022-01-06 10:19
  • 程凱：新型GaN外延結(jié)
    《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
    22900
    limit2022-01-05 13:18
  • 劉斌：量子點/氮化物
    《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
    18900
    limit2022-01-05 11:31
  • 【視頻報告 2018】南
    南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院劉斌教授帶來了《氮化鎵微/納米LED與量子點混合結(jié)構(gòu)的高品質(zhì)白光器件》研究報告。報告中提出了一種新型微納米III族氮化物/II-VI族量子點混合結(jié)構(gòu)LED。采用紫外軟納米壓印和光刻技術(shù)，制備出晶圓面積的有序III族氮化物納米孔和微米孔陣列，然后將II-VI族核/殼結(jié)構(gòu)量子點填充至微/納米孔中，形成量子點與量子阱側(cè)壁緊密耦合結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)利用量子阱與量子點偶極子間耦合增強物理效應(yīng)，發(fā)光激子的復(fù)合壽命大
    126800
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】臺
    來自臺灣交通大學(xué)佘慶威教授，他在《可實現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》報告中表示，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實現(xiàn)發(fā)光波長從480nm藍光到535nm綠光的變化，接著在藍光NRLED上噴涂紅色量子點材料進行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實現(xiàn)RGB全彩微顯示。
    90300
    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報告 2019】中
    為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應(yīng)用于固化、水和空氣的凈化及醫(yī)療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫
    300
    limit2021-04-29 10:45
  • 【視頻報告 2019】廈
    廈門大學(xué)高娜帶來了題為可原子尺度精確調(diào)控的AlN/GaN結(jié)構(gòu)分選生長的主題報告，從晶體生長熱力學(xué)角度出發(fā)，采用第一性原理模擬了
    300
    limit2021-04-29 10:27
  • 【視頻報告】鄭州大學(xué)
    藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結(jié)構(gòu)的激光二極管中n-p電極對于p型電導(dǎo)率的影響 The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrateMussaab I. NIASS鄭州大學(xué) Mussaab I. NIASSZhengzhou University
    422300
    limit2020-03-10 10:20
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