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  • 西安電子科技大學(xué)副校
    高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展Research Progress of High Power Wide Band-gap Semiconductor RF Devices張進(jìn)成西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授ZHANG JinchengVice PresidentProfessor of Xidian University
    330000
    IFWS2025-01-09 15:50
  • 西安電子科技大學(xué)教授
    AlN基高壓高頻功率器件研究進(jìn)展及挑戰(zhàn)Research Progress and Application Prospect ofAlNSingle Crystal Materials周弘西安電子科技大學(xué)教授ZHOUHongProfessor at Xidian University
    56000
    IFWS2025-01-09 14:43
  • 西安電子科技大學(xué)王鵬
    雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場(chǎng)線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學(xué)Wang PengfeiXidian University
    96100
    guansheng2023-05-22 15:22
  • 西安電子科技大學(xué)廣州
    用于高像素密度顯示器的高效率Micro-LED和納米LEDHigh efficiency micro-LEDs and nano-LEDs for displays with high pixel density劉先河西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授LIU XianheProfessor of Guangzhou Institute of Technology of Xidian University
    65500
    guansheng2023-05-22 14:16
  • 西安電子科技大學(xué)副教
    SiC等離子體波脈沖功率器件與應(yīng)用研究Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications孫樂(lè)嘉西安電子科技大學(xué)副教授SUN LejiaAssociate Professor of Xidian University
    94600
    guansheng2023-05-22 13:53
  • 西安電子科技大學(xué)張金
    MPCVD法金剛石同質(zhì)外延生長(zhǎng)及MOS器件技術(shù)Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風(fēng)西安電子科技大學(xué)教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University
    159700
    guansheng2023-05-19 14:40
  • 西安電子科技大學(xué)韓根
    氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管Gallium Oxide Heterogeneous and Heterojunction Power Transistors韓根全西安電子科技大學(xué)教授HAN GenquanProfessor of Xidian University
    95000
    guansheng2023-05-19 14:19
  • 西安電子科技大學(xué)周弘
    氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值的研究Research on Voltage Withstandand Power Optimum Value of Ga2O3 Power Devices張進(jìn)成西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授（團(tuán)隊(duì)代講）
    132800
    guansheng2023-05-19 14:08
  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來(lái)了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告；中科院外籍院士、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告；廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來(lái)了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告，從技
    291600
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 西安電子科技大學(xué)張進(jìn)
    勢(shì)壘可調(diào)、位錯(cuò)免疫凹槽陽(yáng)極氮化鎵肖特基二極管研究張進(jìn)成*，黨魁，周弘，張濤，趙勝雷，毛維，郝躍西安電子科技大學(xué)
    64600
    guansheng2022-09-01 12:20
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University
    67400
    limit2022-05-01 17:18
  • 視頻報(bào)告 2017 |西安
    極智報(bào)告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強(qiáng) ：電動(dòng)汽車充電技術(shù)發(fā)展及SiC應(yīng)用。更多專業(yè)學(xué)術(shù)報(bào)告，請(qǐng)點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP，海量報(bào)告，免費(fèi)看！
    122300
    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
    131700
    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字
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    limit2021-04-29 12:18
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    【極智報(bào)告】西安交通大學(xué)張盛楠：Preparation of carbon dots by microwave synthesis for white LED devices
    000
    limit2021-04-29 12:13
  • 【視頻報(bào)告 2019】西
    報(bào)告嘉賓：西安唐晶量子科技有限公司 CEO龔平博士 報(bào)告主題：《5G/人工智能時(shí)代外延代工的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》
    100
    limit2021-04-29 10:25
  • 西安衛(wèi)光科技微晶微電
    西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》
    126100
    limit2020-02-02 16:22
  • 【視頻】西安交通大學(xué)
    西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開(kāi)關(guān)行為等內(nèi)容。 報(bào)告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實(shí)現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過(guò)濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。
    153500
    limit2020-02-01 16:25
  • 【極智課堂】西安電子
    西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說(shuō)，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
    146400
    limit2020-02-01 16:23
  • 西安電子科技大學(xué)微電
    西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院院長(zhǎng)張玉明：SiC MOSFET高閾值的實(shí)現(xiàn)及給應(yīng)用帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)
    122200
    limit2020-02-01 10:36
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