9月21日，天岳先進近期披露投資者關系活動記錄表顯示，對于碳化硅襯底降價問題，天岳先進表示，隨著技術的進步，成本下降，碳化硅襯底的應用會越來越廣泛，有利于進一步促進下游應用端的快速發展。

關于“中期來看，是襯底的公司更有優勢還是做器件的公司會更有優勢”問題，天岳先進方面表示，碳化硅襯底產業不僅存在一定的資本門檻，更存在著很高的技術門檻，對技術迭代，經驗積累和產業化過程中對產品質量的一致性的要求都非常高，這將會是很大的挑戰。

公司在碳化硅襯底產品方面具有極高的技術壁壘，技術迭代更新需要長期持續開展大量創新性的工作，同時需要獲取海量的技術數據積累，以完成各工藝環節的精準設計。公司是國內最早從事碳化硅半導體材料產業化的企業之一，具備領先的技術優勢和產業化能力。

對于8英寸產品進展，天岳先進表示，在碳化硅長晶方面，公司具有全自主的核心技術，實現了從2英寸到8英寸完全自主擴徑，從基礎原理到技術、工藝的深入積累。2022年初，公司已經實現了自主擴徑制備高品質8英寸襯底，同時，公司繼續在8英寸產品上做前瞻性探索，在2023Semicon論壇上，公司首席技術官高超博士報告了公司核心技術及前瞻性研發情況，通過液相法制備出了低缺陷密度的8英寸晶體，屬于業內首創。目前下游市場還是以6英寸為主，8英寸產品是發展方向，未來一段時間內6英寸和8英寸產品并存。

公司將根據下游市場需求以及與客戶的合作情況合理規劃8英寸產品的產能，包括公司與英飛凌開展的合作，公司將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料，但公司也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。該協議的供應量預計將占到英飛凌長期需求量的兩位數份額。

此外，天岳先進表示，在8英寸導電型產品產業化研發，液相法等前瞻技術研發，大尺寸半絕緣產品研發，以及高品質導電型產品等方面持續加大研發投入，繼續加大前沿技術布局。

天岳先進是國內碳化硅半導體材料龍頭企業，是少數幾家在國際上具有知名度的碳化硅襯底制造企業，是國際碳化硅襯底領域第一梯隊。天岳先進自主攻克了碳化硅晶體生長、襯底加工等一系列國際難題，掌握碳化硅襯底材料產業化核心關鍵技術，獲得國家科技進步一等獎，是國家工信部單項冠軍示范企業和“專精特新”小巨人企業。在大尺寸襯底層面，天岳先進已成功制備出高品質8英寸導電型碳化硅襯底，且已實現批量銷售。

天岳先進產能建設取得顯著進展，2023年5月上海臨港工廠迎來首批產品交付。據公司介紹，臨港工廠具有模塊化高標準設計，在設計之初就考慮了產能提升速度。臨港工廠以全新的數字化智慧工廠理念，提高生產過程控制效率，這得益于公司在行業內較早實現大規模產業化的經驗積累，具有海量的晶體生長數據做支撐。

此外，天岳先進客戶拓展和訂單獲取層面均戰果豐碩。一方面，繼成為全球汽車電子知名企業博世集團SiC襯底供應商后，天岳先進2023年又成功打入另一家國際SiC器件龍頭廠商英飛凌供應鏈。

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