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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

半導(dǎo)體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

大連理工大學(xué)團隊：通過提高晶體質(zhì)量增強 β-Ga?O? 薄膜的光電突觸可塑性

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進展

科研成果|?高整流、超低漏p-Si/n-AlN異質(zhì)結(jié)PN二極管

北京大學(xué)團隊成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進展

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標(biāo)公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中國科學(xué)院關(guān)于EDA技術(shù)創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進展

全球首發(fā)！復(fù)旦團隊研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導(dǎo)體試產(chǎn)

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

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