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標(biāo)準(zhǔn)
| 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會(huì)草案
評論 ?
2025-04-07 10:00
標(biāo)準(zhǔn)
| “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”征求意見
評論 ?
2025-03-25 15:24
納微為AI數(shù)據(jù)中心電源打造效率新標(biāo)桿 超越80 PLUS紅寶石
標(biāo)準(zhǔn)
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2025-03-19 16:54
助力科技中國戰(zhàn)略!蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家
標(biāo)準(zhǔn)
正式實(shí)施
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2025-03-13 07:39
CASA與CSA共同立項(xiàng)《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》等2項(xiàng)
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2025-03-10 14:38
全國人大代表馮興亞:推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展 逐步統(tǒng)一換電
標(biāo)準(zhǔn)
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2025-03-06 13:51
CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2025-02-26 11:00
長飛先進(jìn)順利通過汽車電子行業(yè)兩大核心
標(biāo)準(zhǔn)
認(rèn)證
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2025-02-21 16:26
中車電驅(qū)獲ISO 26262
標(biāo)準(zhǔn)
、ASIL D雙重認(rèn)證
評論 ?
2025-01-09 14:06
《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試 白光干涉法》CSA團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
第一次討論會(huì)召開
評論 ?
2025-01-08 14:31
順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
標(biāo)準(zhǔn)
化廠房項(xiàng)目(二期)主體結(jié)構(gòu)順利封頂
評論 ?
2024-12-11 08:45
專家學(xué)者齊聚探究第三代半導(dǎo)體
標(biāo)準(zhǔn)
與檢測的進(jìn)展與趨勢 | IFWS&SSLCHINA2024
評論 ?
2024-12-06 11:41
CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2024-11-25 17:25
CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯(cuò)密度檢測方法 腐蝕坑密度測量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2024-11-25 15:50
IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測試與可靠性
標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)布
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2024-11-19 17:14
【IFWS2024】第三代半導(dǎo)體
標(biāo)準(zhǔn)
與檢測研討會(huì)日程出爐
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2024-11-01 17:28
標(biāo)準(zhǔn)
| 碳化硅單晶生長用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)
標(biāo)準(zhǔn)
形成委員會(huì)草案
評論 ?
2024-10-29 16:31
SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)
標(biāo)準(zhǔn)
形成委員會(huì)草案
評論 ?
2024-10-15 16:35
浪潮華光參與制定的國家
標(biāo)準(zhǔn)
《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測試透射電子顯微鏡法》正式發(fā)布
評論 ?
2024-10-15 14:15
博世與Tenstorrent合作開發(fā)
標(biāo)準(zhǔn)
化汽車芯片
評論 ?
2024-10-14 09:21
順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
標(biāo)準(zhǔn)
化廠房項(xiàng)目(二期)建設(shè)進(jìn)度過半
評論 ?
2024-10-08 14:50
國家工信部批準(zhǔn)!這項(xiàng)量子通信領(lǐng)域行業(yè)
標(biāo)準(zhǔn)
由光谷企業(yè)牽頭制定
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2024-09-09 19:24
工信部公布三項(xiàng)智能網(wǎng)聯(lián)汽車強(qiáng)制性國家
標(biāo)準(zhǔn)
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2024-09-09 10:22
第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
標(biāo)準(zhǔn)
化廠房(二期)項(xiàng)目建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)
評論 ?
2024-08-21 17:56
CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2024-08-08 16:23
CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動(dòng)態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體
標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2024-08-08 16:21
標(biāo)準(zhǔn)
| 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨
標(biāo)準(zhǔn)
征求意見
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2024-08-02 16:54
標(biāo)準(zhǔn)
| SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)
標(biāo)準(zhǔn)
形成征求意見稿
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2024-08-02 16:51
標(biāo)準(zhǔn)
| 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長用等靜壓石墨
標(biāo)準(zhǔn)
征求意見
評論 ?
2024-07-26 11:03
標(biāo)準(zhǔn)
| 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測試
標(biāo)準(zhǔn)
形成委員會(huì)草案
評論 ?
2024-07-26 11:01
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