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清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

突發(fā)，聞泰科技要出售9家公司股權(quán)！

又一半導(dǎo)體探針卡企業(yè)科創(chuàng)板IPO獲受理

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

榮耀宣布股改完成！終于要上市了······

英諾賽科上市！港股“第三代半導(dǎo)體”第一股！

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實現(xiàn)2400V增強型晶體管

成都士蘭半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標采購項目公開招標公告

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導(dǎo)體申請GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

又見跨界收購！“一代鞋王”擬入局存儲芯片領(lǐng)域

宇電精密溫控獲評國家級專精特新“小巨人”，品牌空間亮相廈門地鐵

華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實驗室啟動

三星電子獲美47.45億美元芯片補貼

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24億元！惠科與綿投集團簽訂增資擴股協(xié)議

2024年中國半導(dǎo)體并購31件模擬芯片和材料成熱點

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國際籌劃增發(fā)收購聯(lián)和存儲科技

現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門，原計劃自研5nm芯片

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

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